重磅理学院教师周广东博士在权威物理杂志AppliedPhysicsLetters上发表论文,EditSprings,艾德思

 本网讯(理学院)近日,世界高级别物理杂志( DOI: )接收发表了我校理学院周广东博士领衔的课题研究组题为"Investigation of a submerging redox behavior in Fe 2 O 3 solid electrolyte for resistive switching memory'<关于忆阻功能层Fe 2 O 3 固体电解质中被埋藏的氧化还原过程的研究>的研究文章.本文的第一作者(兼通讯作者)为我校理学院周广东博士,是我校理学院在该杂志上发表的首篇文章.

是美国物理联合会(AIP)旗下的旗舰期刊,也是Nature出版社评选的82种自然指数(Nature Index)期刊(按照世界各国高校在这些杂志上发表的文章数量/引用次数来对世界各国高校进行排名的重要指标之一)之一,同时也是目前世界上最具有影响的应用物理领域期刊之一,长期以来一直是应用物理学领域被引用次数最多的刊物.

(器件结构Ag|Fe 2 O 3 |F-doped SnO 2 中观测到的忆阻现象和长期以来被隐藏的氧化还原过程实验结果图以及氧空位(V o )/Ag + 和空气中水分子界面分解后在晶界处的迁移物理机制图)

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近年来,忆阻器的研究呈现了爆发式的突破,在超高密度存储器/数据存算融合和类人脑仿生芯片中的应用取得了较大进步.作为这些应用的核心元器件,研发低功耗(`fW)/高阻比(`10 9 )和高存储时间(`10年)的忆阻器成为了世界各国争先攻关的课题.具有极低电流密度的物理/化学过程对此项攻关和与之相关的基础研究至关重要.该课题组在研究Fe 2 O 3 相变过程对忆阻现象影响中发现了这种长期以来被隐藏的氧化还原过程.实验测量和理论计算发现,这种氧化还原过程主导了忆阻功能层的离子迁移速率/迁移深度和离子浓度,同时在相变过程中受到了空气中水分子的吸附/分解和迁移过程的调控.这项研究成果为进一步研发类人脑仿生芯片/高密度低功耗的存储器和数据存算融合逻辑器件提供了重要的参考价值.

(责任编辑:林春燕  主编:金敏)

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