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台湾科技部门昨天举行"颠覆传统0与1的世界:下世代光控多元记忆材料研究刊登国际期刊'记者会,成功大学物理系团队耗时两年,在内存材料铁酸铋研究领域有重大突破,团队首创光学技术,结合多铁性材料铁酸铋,使内存体积大幅缩小,探寻具有更强大多元的逻辑状态记忆能力材料,以及全新的存取技术.研究成果刊登在国际顶尖期刊"自然材料'(Nature Materials)上.
成功大学物理系研究团队,在新世代记忆体材料——铁酸铋(BiFeO3)的操控方法上,有重大突破.铁酸铋是在一个存储单元中,可同时具有高达八种逻辑状态(0-7)的多位元记忆体材料,比起传统只能存储0与1的单位元存储器,可大幅提升储存资讯的密度.研究团队成功地开发新颖光学技术,可进行非接触性地特性控制,应用这类材料与相关光控技术,存储器的体积可以大幅缩小,耗能也将进一步降低.应用于人工智能发展与云端运算,更可减少读取资料的延迟时间,大幅加速演算速度.
成大团队指出,以磁性金属薄膜为主材料的传统硬碟为例,只具有一个铁磁有序性,用以记录0与1的资讯.而多铁性材料铁酸铋的记忆单元,为材料内自发的电偶极矩与电子自旋排列方向,记忆单元理论上可达次纳米尺度,且可在同一点存在多个记忆状态,组合上可一次记录八组资讯在单个储存单元中.
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